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英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合,助力实现更高效率和功率密度

2023-11-30 06:24:55  

  1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。

  增强型M1H技术能够显著拓宽栅极电压窗口英飞凌推出全新62 mm封装CoolS,即使在高开关频率下,不需任何限制,也能确保栅极应对驱动器和布局引起的感应电压尖峰的高可靠性。此外,极低的开关损耗和传输损耗可以最大限度地降低冷却需求iC产品组合,助力实现更高效率和功率密度。结合高反向电压,这些半导体器件还可满足现代系统设计的另一项要求。借助TM芯片技术,转换器的设计可以变得更有效率,单个逆变器的额定功率得以进一步提高,从而降低整体系统成本。

  配备铜基板和螺纹接口,该封装具有高鲁棒性的机械设计,可提高系统可用性、降低服务成本和减少停机损失。通过强大的热循环能力和150°C的连续运行结温(Tvjop)实现出色的可靠性。其对称的内部封装设计使得上下开关具有相同的开关条件。可以选装预涂热界面材料(TIM),进一步提高模块的热性能。

  采用62mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET有5 mΩ/180 A、2 mΩ/420 A和1 mΩ/560 A三种型号可供选择。2000V产品组合将包含4mΩ/300A和3mΩ/400A两种型号。1200V/3mΩ和2000V/5mΩ型号将于2024年一季度推出。它还有专为快速特性评估(双脉冲/连续工作)设计的评估板可供选择。为了便于使用,该评估板还提供可灵活调整的栅极电压和栅极电阻,同时还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。


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